TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出，由於记忆体价格延续呈现超过6个季度的上涨，造成数家中国智慧型手机品牌厂不堪成本压力，因此在去年年底，中国发改委员会正式对三星半导体表达不满，进一步造成第一季行动式记忆体的涨幅有所收敛。近日也传出韩国政府偕同三星电子将可能在近期与中国发改委签署备忘录，内容将涵盖在半导体领域的相关合作，其中包含扩大在中国投资以及技术合作的可能性。

由於中国地区在近年内是记忆体产出的最大出海囗，不管是国内需求或是外销，透过中国所购买的记忆体比重持续增加，因此，对於中国市场的抗议，三星必须给予尊重及反应。DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，此次事件将可能对未来记忆体产业产生以下两种影响：

一、DRAM虽仍呈供货吃紧状态，但未来涨幅将受抑制

就DRAM领域来看，目前供应商在生产行动式记忆体的获利远低於其他产品别，而受到第一季智慧型手机的低迷需求影响，再加上中国发改委的动作，预期未来价格涨幅将更受抑制。

展??未来，供应商预期会持续将现有的产能从行动式记忆体转向更高毛利产品，造成其他产品别的价格涨幅也进一步收敛。

二、供应商为避免价格涨幅过高，新增产能的可能性增加

其次，在NAND Flash领域，2018年由於3D NAND Flash的比重持续提高，因此供货吃紧的状态较去年大幅改善。然而，观察DRAM供给，由於目前并未有新增产能贡献位元产出，造成2018年仍属供不应求状态。

DRAMeXchange分析，为因应中国官方代表本土企业对於记忆体价格持续上涨所表达的强烈不满，对供应商而言，在涨价受到抑制、成本下降不易的考量下，新增产能的可能性与时程皆可能转趋积极，透过增加产能来贡献位元产出不仅可以维持价格稳定，也希??藉此维持该企业在DRAM产品的绝对获利。