全球半导体技术联盟于今年3月对外表示，157 奈米出现物性技术瓶颈，将延后半导体厂进入70奈米米制程的时程。但是近日举办的第三届157奈米微影技术国际座谈会，会中有专家指出，157奈米光学微影技术的主要瓶颈已克服，而且现在半导体产业已计划在65奈米线宽里，导入157奈米微影技术；相关供货商预计2004年，将推出首台157奈米扫描机。

今年年初时有业者表示，目前业界的90奈米制程，仍以193 奈米微影设备为主，预计2004 年才能真正量产；157奈米设备最外为2005年才能试产，到时相关的所有物性瓶颈，将能获得解决。然而今年第三季157奈米已有所突破，证明157的后续发展时程需再做调整。

1965年摩尔博士曾以微处理器的晶体管密度，每18个月将增加一倍，此即半导体产业著名的「摩尔定律」，然而要跟上此定律，必须不断提升制程技术，其中的关键技术即为微影。业界对微影技术的看法各有诠释，有业者认为波长157奈米氟（F2）雷射为未来市场主要光源，日本半导体产业开发目标则锁定在VUV（Vacuum Ultra-Violet）和EPL（Electron Projection Lithography）。