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全球半导体资本支出创历史新高 2017年将达809亿美元
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2017年09月04日 星期一

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研调机构IC Insights 预估,今年全球半导体资本支出金额将达809亿美元,创下历史新高;其中,DRAM资本支出将激增53%,是增加幅度最大的产品领域。

IC Insights将今年度半导体资本支出预估金额,自先前的756亿美元,调高到809亿美元,较去年增加20%,将一举刷新历史新高纪录。
IC Insights将今年度半导体资本支出预估金额,自先前的756亿美元,调高到809亿美元,较去年增加20%,将一举刷新历史新高纪录。

今年上半年半导体资本支出大幅增加,IC Insights将今年度半导体资本支出预估金额,自先前的756亿美元,调高到809亿美元,较去年增加20%,将一举刷新历史新高纪录。

IC Insights预估,今年动态随机存取记忆体(DRAM)资本支出金额将达130亿美元,较去年大增53%,将是增加幅度最大的领域;尽管这些支出主要用以推进技术,不过,海力士(SK Hynix)也将增加产能。

储存型快闪记忆体(NAND Flash)今年资本支出将达190亿美元,仍将高於DRAM的水准,也将较去年增加33% ,IC Insights认为,NAND Flash的资本支出将主要投入3D NAND Flash制程技术。

晶圆代工今年资本支出约228亿美元,将较去年略增4%,是半导体资本支出金额最多的领域,所占比重将达28%。

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