駐美國代表處(TECRO)與美國在臺協會華盛頓總部(AIT/W)於2020年12月簽訂臺美科學及技術合作協定(Science and Technology Agreement, STA)。在臺美STA架構下，今年8月下旬正式簽署第一項執行協議(IA)合作項目：「先進半導體合作(ACED Fab)研究計畫」，建立雙邊合作機制，並希望成為其他臺美合作共同徵件模式。

國科會(NSTC)與美國國家科學基金會(NSF)，雙方於今年9月底同步徵求2023至2026年臺灣-美國(NSTC-NSF)先進半導體晶片設計及製作國際合作研究計畫(Advanced Chip Engineering Design and Fabrication, ACED Fab Program)，需由雙方學者組成合作研究團隊，分別向國科會及美國NSF提出計畫申請書，自公告日起受理申請至2023年1月17日截止收件。申請案經審查選定後補助研究經費，預計2023年7月1日起開始執行為期三年之合作研究計畫。

此項ACED Fab計畫的徵件重點聚焦於系統性展示晶片規劃，包含「高效能、低延遲、低功耗系統電路」、「具人工智慧功能邊緣運算SOC」、「量子電腦/通訊關鍵電路」、「新興異質整合半導體」等合作領域。

為使更多半導體領域之學者專家參與本次共同徵件，國科會與美國NSF將於11月15日及23日共同舉辦「臺美先進系統晶片設計(ACED Fab)學術研討會」，鏈結臺美半導體領域學者互動交流，分享半導體技術最新發展，促成雙邊合作契機。