帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
NOVELLUS 推出 300mm晶圓表面處理設備
為次130奈米光阻及蝕刻殘留清除作業提供更佳的生產力及效用

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠 報導】   2002年08月06日 星期二

瀏覽人次:【8441】

全球半導體薄膜沉積和表面處理技術的生產研發廠商-諾發系統(Novellus Systems),於7月22日宣佈推出 300 mm晶圓的表層處理設備-GAMMA 2130 光阻去除系統以及 SIERRA 先進乾式蝕刻殘留清除系統。這兩組新系統在擁有成本(cost of ownership,CoO)、生產力及可靠性方面,均比現有的產品擁有更優秀的表現,並具備可用於 65 奈米製程的擴充性。

現今300 mm 晶圓廠中,需要光阻及蝕刻殘留清除的製作程序高達 30 道,其中約有一半屬於前段製程,其餘則為後段製程(Back-End-Of-Line,BEOL),整合了越來越多的銅金屬雙層鑲嵌技術(copper dual-damascene),以進行先進的接合作業。由於需要表面處理的製程為數眾多,故用於這項作業的主要設備必須要符合低擁有成本、高產能(throughput)及高度可靠性等特點,並需能進行擴充,以因應未來數個世代元件發展的需求。

Novellus Surface Integrity Group執行副總裁 Asuri Raghavan 表示:「半導體製造業的變革,已於表面處理設備方面發展出兩種截然不同的技術,以滿足前段與後段製程的需要。Novellus 研發的這些新一代300 mm 系統,正是為了滿足這些特定的需求而設計。GAMMA 2130為針對前段製程(Front-End-Of-Line,FEOL)而設計,著重於高產能與低成本的需求,SIERRA的高度配置彈性設計則成為BEOL 清理程序的不二選擇。這項雙平台的表面處理方案符合Novellus向來秉持的研發策略,就是希望能以最高的資本產能,提供特定應用所需的最佳技術等級。」

GAMMA 2130 系統是專為以高產能及低擁有成本為首要考量的FEOL光阻去除程序所設計,並使用「多站序列式處理」(MultiStation Sequential Processing,MSSP)架構,可於單一的反應室內整合六套系統,並可以高出類似產品30%的產能(throughput),除低離子植入劑量光阻及較難處理的高植入劑量光阻。由於 GAMMA 的設計非常簡明,系統產能與可靠性也因而大幅躍升,與其他競爭產品相較,最多可減低25%的擁有成本,可說是目前市場中首款功能完善、並可供應生產需求的 300 mm FEOL 清除系統。

SIERRA為先進的乾式蝕刻殘留清除系統,可為更高階的後段蝕刻(post-etch)BEOL應用提供光阻及殘留物的清除功能。隨著半導體製程逐漸演變為銅金屬化及低介電質材料技術(low-k dielectrics),傳統的表面處理問題便繼而衍伸出來,例如: 於低介電質薄膜上套用傳統清除及清洗程序,可能會導致導線內的微距(critical dimension,CD)變化,也可能使薄膜的有效k值變動。SIERRA系統便是專為解決這些複雜的清洗問題而設計,不僅整合了雙重電漿來源,可於各種低介電質材料上進行先進的清理作業,且操控上極富彈性,不會對底部裸露出來的薄膜造成損害。SIERRA更運用IC廠商在生產次180奈米元件時所用的200 mm PEP IRIDIA(tm)技術,可擴充與支援65奈米的製程。SIERRA可提供比其他類似乾式系統高出25%的資本產能,並降低25%的擁有成本。

關鍵字: Novellus Systems  Asuri Raghavan  其他電子邏輯元件 
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 未來無所不在的AI架構導向邊緣和雲端 逐步走向統一與可擴展
» 延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構
» 提升供應鏈彈性管理 應對突發事件的挑戰和衝擊
» 專利辯論
» 碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.22.248.100
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw