力旺電子宣佈，其單次可程式（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse技術於16奈米鰭式電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製程平台成功完成驗證，並在今年度完成矽智財開發和導入客戶應用，28奈米方面亦已佈建於台灣、美國、中國地區多家晶圓代工廠之多晶矽氮氧化矽（Poly SiON）與高介電金屬閘極（High-K Metal Gate，HKMG）製程平台並進入量產階段，量產效益將持續擴張。

力旺電子的嵌入性非揮發性記憶體矽智財具備能經由特殊線路設計達成超低電壓讀取的特性.

NeoFuse技術已於多家國際級晶圓代工廠之0.11微米、65奈米、55奈米、40奈米與28奈米的邏輯、高壓（High-Voltage, HV）、低電（Low-Power, LP）、超低電（Ultra-Low Power, ULP）等製程平台完成佈建並進入量產，並獲多家客戶採用，嵌入設計於影像感測晶片、影像訊號處理器（Image Signal Processor, ISP）、感測器中樞（Sensor Hub）、微機電控制晶片（MEMS Controller）、安全微控制器（Security Microcontroller Unit, Security MCU）與DRAM修護（DRAM Repair）等應用領域。

NeoFuse矽智財應用範疇廣泛涵蓋程式碼儲存（Code Storage）、加解密碼儲存（Code Encryption）、身份識別（Identification）以及電路調校（Analog Trimming）等。透過晶片內建NeoFuse，其獨特的反熔絲結構與讀寫技術能提供安全金鑰，可於資料寫入後進入唯讀保護模式，防護晶片內儲存之資料受到破壞及竄改，其資訊安全防護等級更已獲得CA認證。力旺電子獨特的嵌入性非揮發性記憶體矽智財，具備能經由特殊線路設計達成超低電壓讀取的特性，可於系統功能啟動前即提供韌體與晶片之間的身份辨識功能，強化資訊保護，為重視資料安全如物聯網與智慧家庭等應用，提升產品附加價值。