力旺电子宣布，其单次可程序（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse技术于16奈米鳍式晶体管（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）制程平台成功完成验证，并在今年度完成硅智财开发和导入客户应用，28奈米方面亦已布建于台湾、美国、中国地区多家晶圆代工厂之多晶硅氮氧化硅（Poly SiON）与高介电金属闸极（High-K Metal Gate，HKMG）制程平台并进入量产阶段，量产效益将持续扩张。

力旺电子的嵌入性非挥发性内存硅智财具备能经由特殊线路设计达成超低电压读取的特性.

NeoFuse技术已于多家国际级晶圆代工厂之0.11微米、65奈米、55奈米、40奈米与28奈米的逻辑、高压（High-Voltage, HV）、低电（Low-Power, LP）、超低电（Ultra-Low Power, ULP）等制程平台完成布建并进入量产，并获多家客户采用，嵌入设计于影像感测芯片、影像讯号处理器（Image Signal Processor, ISP）、传感器中枢（Sensor Hub）、微机电控制芯片（MEMS Controller）、安全微控制器（Security Microcontroller Unit, Security MCU）与DRAM修护（DRAM Repair）等应用领域。

NeoFuse硅智财应用范畴广泛涵盖程序代码储存（Code Storage）、加解密码储存（Code Encryption）、身份识别（Identification）以及电路调校（Analog Trimming）等。 透过芯片内建NeoFuse，其独特的反熔丝结构与读写技术能提供安全密钥，可于数据写入后进入只读保护模式，防护芯片内储存之数据受到破坏及窜改，其信息安全防护等级更已获得CA认证。力旺电子独特的嵌入性非挥发性内存硅智财，具备能经由特殊线路设计达成超低电压读取的特性，可于系统功能启动前即提供韧体与芯片之间的身份辨识功能，强化信息保护，为重视数据安全如物联网与智能家庭等应用，提升产品附加价值。