帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
Hynix成功開發0.10微米製程DDR
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2002年10月30日 星期三

瀏覽人次:【1009】

據外電報導,韓國半導體業者Hynix日前宣佈,該公司已成功以0.10微米製程技術,開發出512M的DDR SDRAM產品。

韓國經濟新聞報導指出,Hynix繼由0.18微米升級至0.15微米製程的“Blue Chip”計畫,與自0.15微米升級至0.13微米製程的“Prime Chip”專案後,再度導入使技術升級的“Golden Chip”專案,開發出0.10微米製程產品。

而Hynix強調,該公司的技術升級皆利用原有設備,不僅減少50%左右的投資成本,“Golden Chip”晶粒產量亦比“Prime Chip”專案增加了40%以上。Hynix計劃在2002年底生產512M DDR後,再於2003上半年導入此技術,以量產256M DDR與1G DDR產品。

Hynix表示DDR產品逐漸成為市場主流,而該公司將繼續透過技術升級,以技術力與成本競爭力為基礎,確保該公司的全球市佔率。

關鍵字: Hynix(海力士動態隨機存取記憶體 
相關新聞
SST和SK hynix system ic合作 擴大SuperFlash供貨範圍
TrendForce:東芝分拆半導體業務以提升NAND Flash競爭力
日月光:AMD HBM技術讓3D IC正式起飛
MIC提醒:韓系半導體業者動態 須密切注意
獲利增 DRAM三陣營強化先進製程布局
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 未來無所不在的AI架構導向邊緣和雲端 逐步走向統一與可擴展
» 延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構
» 提升供應鏈彈性管理 應對突發事件的挑戰和衝擊
» 專利辯論
» 碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.141.29.165
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw