账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
Hynix成功开发0.10微米制程DDR
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年10月30日 星期三

浏览人次:【1008】

据外电报导,韩国半导体业者Hynix日前宣布,该公司已成功以0.10微米制程技术,开发出512M的DDR SDRAM产品。

韩国经济新闻报导指出,Hynix继由0.18微米升级至0.15微米制程的“Blue Chip”计画,与自0.15微米升级至0.13微米制程的“Prime Chip”专案后,再度导入使技术升级的“Golden Chip ”专案,开发出0.10微米制程产品。

而Hynix强调,该公司的技术升级皆利用原有设备,不仅减少50%左右的投资成本,“Golden Chip”晶粒产量亦比“Prime Chip”专案增加了40%以上。 Hynix计划在2002年底生产512M DDR后,再于2003上半年导入此技术,以量产256M DDR与1G DDR产品。

Hynix表示DDR产品逐渐成为市场主流,而该公司将继续透过技术升级,以技术力与成本竞争力为基础,确保该公司的全球市占率。

關鍵字: Hynix  动态随机存取内存 
相关新闻
SST和 SK hynix system ic合作扩大SuperFlash技术的供货范围
TrendForce:东芝分拆半导体业务以提升NAND Flash竞争力
日月光:AMD HBM技术让3D IC正式起飞
MIC提醒:韩系半导体业者动态 须密切注意
获利增 DRAM三阵营强化先进制程布局
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 延续后段制程微缩 先进导线采用石墨烯与金属的异质结构
» 提升供应链弹性管理 应对突发事件的挑战和冲击
» 专利辩论
» 碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.15.225.110
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw