台積電3月1日宣佈，領先業界推出0.35微米雙載子互補式金氧半導體(BiCMOS)製程技術供客戶進行產品設計，此項技術為客戶的高速、低雜訊及低功率的通訊及無線產品提供了極佳的解決方案。

台積電的0.35微米BiCMOS製程技術，係結合雙載子(Bipolar)及互補式金氧半導體(CMOS)的優點，其中無論是Bipolar或是CMOS的製程，皆已通過該公司嚴格的製程規格驗證，其中共振頻率最大值(fmax)更高達40 GHz（400億赫）。同時，利用此製程所產出的第一批應用在行動電話產品的晶片，目前已交由客戶進行功能驗證中。台積電的0.35微米BiCMOS製程技術預計於今年四月起為客戶正式生產，欲使用該製程技術的客戶目前也可以取得相關製程資料如SPICE模型、設計規格以及電路規格來設計產品。

台積電市場行銷副總經理鮑利邁(Mike Pawlik)指出，全球通訊市場正快速成長，若要在高附加價值產品的應用上不斷創新，先進的製程不可或缺。台積電此次率先推出0.35微米BiCMOS製程技術供客戶進行產品設計，為客戶通訊應用產品的發展又再提供了另一個在成本及效能方面都具有優勢的技術，更可以滿足客戶多樣化的需求。

台積電的0.35微米BiCMOS製程技術的應用層面涵蓋多項通訊及無線產品，此項技術的特點是能提供這些產品所需要使用的更高速、雜訊更低及較低功率的特性，包括有：非同步傳輸模式(Asynchronous Transfer Mode, ATM)產品、行動電話、同軸光纖網路(Synchronous Optical Network, SONET)、同軸寬頻網路(Synchronous Digital Hierarchy, SDH)、無線電話、區域多點分配系統(Local Multipoint Distribution Services, LMDS)、多點多頻道分配系統（MultiChannel MultiPoint Distribution Services, MMDS）以及呼叫器等相關之通訊與無線產品。

台積電將於今年四月在美國舉行一年一度的技術研討會，台積電的0.35微米BiCMOS製程及其相關矽鍺(SiGe)製程將是該研討會介紹的重點之一。台積電美國技術研討會將於4月23日、4月25日、4月27日及4月30日分別於加州San Jose、德州Austin、麻州Boston以及加州Costa Mesa等地舉行。