Soitec Group与SEZ Group日前宣布，双方已着手计划推动联合开发计划(JDP)，藉以加快新一代应变绝缘硅（sSOI）基板的商业化时程。在联合开发计划中，两家公司将运用Soitec在工程基板的技术，以及SEZ在单晶圆、湿式处理技术之领先优势，开发新型湿式蚀刻制程，提高在sSOI制程中去除锗元素的作业效率。

多位公司主管一致指出，有效彻底去除锗成份是sSOI制程中的关键步骤，因为硅锗（SiGe）是用来产生硅组件层的必要应力，而这对于sSOI的运作来说相当重要。结合应变硅组件层与SOI基板的力量，使芯片制造商能发挥sSOI基板带来无与伦比之效能，与功率消耗方面的优势。单晶圆处理是一项极具发展前景的解决方案，协助业者能选择性地控制锗蚀刻制程—仅去除特定的材料，且不会破坏到底部的材料层。

Soitec技术长Carlos Mazuré表示：『此项合作案是Soitec整体策略的另一个里程碑，其目标为构筑产业架构，以确保新世代的sSOI基板能迈入量产与商业化阶段。SEZ的单晶圆技术提供客户多方面优点，选择性的SiGe蚀刻技术能协助业者更有效率地去除锗材料。同时，Soitec与SEZ亦将共同合作以提升质量、晶圆产出率及降低成本，建立一个可重复的生产作业流程，并可用来制造其他复杂材料。』

SEZ制程开发部门协理Gerald Wagner博士表示：『一直以来，SEZ不断持续研究开发各种新材料与制程解决方案。此次，我们很高兴能与Soitec这样的业界领导者合作，透过这项合作，我们能更进一步运用双方在sSOI与其他先进基板的专业技术。我们计划将结合Soitec的Smart Cut™技术及我们在单晶圆与湿式蚀刻方面的科技，共同开发一项新的制程应用，提供在量产sSOI基板上关键性角色。』