德国半导体元件商英飞凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品，透过其独特的碳化矽 (SiC) 沟槽式 (Trench) 技术，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的电源解决方案。该系列将以太阳能、电动车充电系统与工业级电源供应为主要的应用领域。

英飞凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品

碳化矽(SiC)制程是近年在电源功率元件领域的热门技术，因其能具备极隹的耐高压与耐高温的性能，因此十份适合用於需要高电压的工业应用上。然而，SiC的生产成本高，良率低，且耐用性经常受到挑战，仅有少数的供应商有能力生产。

英飞凌工业电源控制事业处大中华区总监马国伟博士表示，英飞凌自1992年便开始进行SiC材料研究，而CoolSiC MOSFET就是累积了大量经验和技术的成果。与传统矽（Si）材料 IGBT和MOSFET的开关元件相比，CoolSiC MOSFET提供了在1200V的开关中具有较低的闸极电荷与电容、反向并联二极体无反向恢复损耗、较低切换损耗等。

此外，马国伟指出，英飞凌1200V SiC MOSFET透过其独特的沟槽式构造设计，实现更隹的闸极氧化层可靠度，也呈现最隹的开关与传导损耗、最高的转导增益、最隹的临界导通电压和输出短路的坚固性。非常适用於LLC和ZVS等电源切换架构技术，且能达到Si开关元件无法达到的开关频率下所提供的最高效率，进而减小整体系统的体积，并提高功率密度。

马国伟表示，为了研发和生产SiC产品，英飞凌投入了3500万欧元的资金来建设生产设备和流程，目前已升级至6寸的生产制程，同时也与Cree签属了碳化矽晶圆的供应合约，来强化产品的品质与产能的稳定性。

马国伟博士强调，英飞凌的SiC MOSFET产品能同时兼具高可靠性与高性能表现，且其可靠度已经达到能媲美Si IGBT的水准。而英飞凌也将持续改善其材料与制程的成本与良率，以带给客户更具效益的产品。

目前，该系列产品已经被用在电动车的充电系统、太阳能逆变器和能源储存应用中。