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2007 DRAM最重要趋势为70奈米的推进
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2007年05月02日 星期三

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DRAM报价跌势剧烈,除了将产能转移外,为持续降低营运成本,台湾内存厂的茂德、力晶都将加快70奈米制程的脚步,至于华邦则宣布试产80奈米,90奈米与70奈米产出比例相差55%,下半年将主流制程推进到70奈米后,将更具成本竞争优势。

12吋晶圆片采70奈米制程生产可切割出1400个颗粒,但若以90奈米仅能产出900多颗,产出比例落差达55%,因此当70奈米成为主流制程后,有助于提高成本竞争力,茂德与力晶皆属DRAM堆栈式阵营,目前,DRAM厂制程技术推进情况,以茂德与力晶进度最快,其中茂德70奈米512Mb DDR2已于3月完成内部验证作业,预计4月投片1.6万片。

力晶第二季开始以70奈米投片量产512Mb,并试产1G的DDR2与8G的NAND闪存;此外在70奈米制程的推动下,1G的DDR2将会在今年第四季成为市场主流,而力晶也预计在下半年以70奈米量产1G的DDR2,若下半年1G的DDR2市场价格高达6~8美元,相较力晶届时1G的成本仅3美元多。

茂德表示内存厂确实处在损益边缘,因此,加快推进到70奈米制程确实是当务之急,以单一颗粒的DRAM来说,采70奈米制程与90奈米制程产出,在成本上有高达三成的差距,因此内存厂必须加快转入70奈米制程,而茂德今年首季在70奈米投片量为7000~8000片,但第二季已经提高到超过15000片投片数量。

關鍵字: 茂德  力晶  动态随机存取内存 
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