在智能型手机和媒体平板装置的带动下，行动DRAM（Mobile DRAM）需求也随之水涨船高，包括低功耗DRAM和虚拟DRAM（Pseudo SRAM）的声势正不断看涨。

2010年全球DRAM市场规模为391亿美元，行动装置相关应用就占14％，达到55亿美元。行动DRAM的出货量和记忆容量也不断提高。苹果iPhone 4的行动DRAM容量达到512MB，而宏达电的Desire HD更有768MB。而iPad的行动DRAM容量有256MB，三星的Galaxy Tab更有512MB。

根据市调机构Gartner预估，今年媒体平板装置平均行动DRAM容量为507MB，而智能手机平均容量为279MB，明年可提高到392MB。iSuppli则是预估，今年Mobile DRAM的成长率将达到71％，出货量可达29亿GB，2015年此一数字更将突破205亿GB，比起2010年的17亿GB大幅成长12倍之多。

行动DRAM并没有标准规格，属于利基型内存产品。虚拟SRAM整合DRAM核心和SRAM接口，芯片内含refresh电路设计、与传统SRAM兼容，可直接替代SRAM，容量更高、尺寸更轻薄、价格更便宜。Mobile DRAM是透过自动温度补偿自更新TCSR（Temperature Compensated Self Refresh）、内存数组进行自更新PASR（Partial Array Self Refresh）和深度休眠DPD（Deep Power Down）等技术，来达到省电降低功耗的效果。现在Mobile DRAM已朝向DDR 2制程演进，

目前包括三星、海力士、尔必达、美光、南科及华亚科、华邦、茂德等均投入行动DRAM领域，尔必达已将重心从标准型DRAM转向Mobile DRAM，后者营收已占整体DRAM营收50％以上；尔必达合作伙伴瑞晶今年第3季可望取得技转，首度量产Mobile DRAM，并导入30奈米制程。华邦则是锁定中低阶容量的虚拟SRAM产品区间，南科则已经推出Mobile LPDDR和LPDDR2样品。

三星电子依旧站稳行动DRAM霸主地位，在3月初宣布采用50奈米技术开发出Wide I/O接口的行动DRAM样品，传输速率可达12.8Gb/s，功耗更可大幅降低87％，同时预计到2013年，三星可开发出20奈米制程、4GB封装容量的Wide I/O行动DRAM样品。值得注意的是，三星已经进一步量产30奈米制程、功耗可降低25％、厚度只有0.8公厘的低功耗LPDDR2产品，储存容量可达1～2GB等级，将直接威胁其他竞争对手在智能手机和媒体平板装置的生存空间。