在全球功率半导体市场，SiC（碳化矽）元件的发展，一直是主要业者所十分在意的重点，理由在于它与传统的MOSFET或是IGBT元件相较，SiC可以同时兼顾高开关频率或高操作电压，反观MOSFET与IGBT只能各自顾及开关频率与操作电压，显然地SiC元件相对地较有技术优势。

罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣

SiC顾名思义，就是矽与碳采1比1结合而成的化合物半导体，对于热、化学与机械现象，都能有相当不错的表现，举例来说，它几乎不跟酸碱产生任何化学反应，在摩氏硬度上也几乎可以跟钻石抗衡。所以归纳来看，SiC元件它具备低导通电阻、耐压能力达600V以上、低开关损耗，以及工作温度可达150℃以上。根据Yole的调查显示，到了2020年，SiC市场将会成长至362百万美元的规模。

日系功率半导体大厂罗姆半导体（ROHM）在SiC也有相当程度的进展，在2010年的四月ROHM便已量产了以SiC为主的二极体元件，同年十二月也量产了功率开关元件，到了2014年，在二极体与开关元件，各自推出了第二代的产品。而在近期，ROHM也发表了第三代产品，值得注意的是，第三代产品的设计采取了沟槽式结构设计，相较于过往平面式SiC，其导通电阻可降低50%。

罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣谈到，第三代SiC元件的最大特色就是晶片上的闸极改采沟槽式结构，这种结构相较传统的平面结构，有助于整体Cell的密度提升，导通电阻亦能更进一步降低，或是在相同的导通电阻下，进一步缩小元件尺寸。另一方面，过去平面结构SiC一直以来都有Gate Trench底部电场集中的问题，此一现象会造成元件可靠度不高的问题，但新的沟槽式结构有助于缓和这种情况，并进一步提升可靠度。除此之外，罗姆半导体的第三代产品，也将开关元件与SBD两者加以整合为全SiC模组，额定电压达1200V、额定电流亦可达到180A，与过去的产品线相较，其开关损耗亦可以降低42%。

罗姆半导体功率元件制造部部长伊野和英谈到，该产品的推出，相信对于市场会造成一些话题性，他也预言沟槽式结构将会是SiC未来的发展趋势，当然另外一种材料氮化镓的发展，也会密切注意，至于未来会锁定的应用，应为特殊或是高频电源，以及汽车市场等。