E-pHEMT场效晶体管

安捷伦科技公司7月31日发表了一款拥有最高线性度的E-pHEMT(增强模式的假相高电子迁移率晶体管)场效晶体管，这个新的低热阻性版本采用小型的2 mm x 2 mm 8接脚无引线塑料晶粒封装。Agilent ATF-501P8单电压E-pHEMT，已针对蜂巢式/PCS/WCDMA基地台、低地面轨道卫星系统、陆地多信道多点散布系统(MMDS)、无线局域网络(WLAN)、无线区域回路(WLL)、无线固网、以及其他在50 MHz到6 GHz频率范围内操作的服务中所使用的发射器功率放大器和接收器低噪声放大器而优化。在2 GHz的频率下，单电压操作的Agilent ATF-501P8可提供+45.5 dBm的第三级输出截点(OIP3)，以提高多信道放大器的效率，使其能够处理更多的语音和数据信道。Agilent ATF-501P8具有仅23 oC/W的低热阻性(采用传统LPCC封装的类似组件之热阻性则为33 oC/W)，在周围温度达+85°C时几乎可散热2 W，同时能维持芯片的温度，以确保较高的可靠度。ATF-501P8在2 GHz的频率下，还提供了+29 dBm的线性输出功率(P1dB)、15 dB的增益和65%的电力延长效率，以及1.0 dB的低噪声指数。它的尺寸仅2 mm x 2 mm，可节省宝贵的印刷电路板空间。