账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
国内业者将联合提出反韩DRAM倾销诉讼
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年04月17日 星期四

浏览人次:【4095】

继美国与欧盟因韩国DRAM业者接受韩政府不当援助、违反市场公平交易原则,而建议对其产品课征惩罚性关税之后,国内多家DRAM业者日前亦发起签署联合声明,以南韩政府不当补助该国DRAM厂的相同理由,呼吁我国政府向韩国DRAM业者征收合理的惩罚性关税。

据工商时报报导,包括南亚科、华邦、力晶、茂矽等国内四家DRAM业者日前共同集会,决议联合国内所有记忆体业者共同签署一项联合声明,呼吁政府以南韩政府不当补助韩系DRAM厂的现况,跟随美国与欧盟的脚步向韩系DRAM厂课征合理惩罚性关税;此一行动是台湾DRAM业者首次提出的反倾销控告。

该报导指出,全球DRAM业者在连续两年的市场不景气中均遭受严重亏损,但韩系DRAM厂三星(Samsung)、Hynix等业者,却在南韩政府政策性支持下不断扩充产能,并以低于总成本的价格外销。据市调机构Dataquest统计,去年三星与Hynix之DRAM产出全球43%的市场占有率,对价格握有绝对性的主导权。为此德国DRAM业者英飞凌与美国DRAM大厂美光,在去年分别向欧盟及美国商务部,提出韩系DRAM厂非法倾销的控诉。

今年欧盟、美国商务部陆续宣布因调查结果确认韩系DRAM厂接受南韩政府补助,而分别建议对韩国DRAM厂Hynix的DRAM产品课征高达30%~35%与57.37%的惩罚性关税。由于市场预期未来Hynix在此一状况下,将把现货转向台湾倾销,所以台湾四家DRAM厂便决定向政府提出控告南韩政府不当补助韩系DRAM厂诉讼。

關鍵字: 南亚科  华邦  力晶  茂硅  动态随机存取内存 
相关新闻
华邦推出穿戴装置和低功耗物联网设备专用1.8V 1Gb快闪记忆体
力旺电子矽智财NeoFuse成功导入华邦25奈米DRAM制程平台
NOR Flash市场稳定健康 华邦专注汽车与工业应用
力晶科技将於竹科铜锣基地兴建12寸新厂 跻身晶圆代工3雄
华邦电:2018年DRAM和Flash供需仍将持稳
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BJ7B2IP2STACUKB
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw