力旺电子今日宣布其一次可编程(OTP)记忆体矽智财NeoFuse成功导入华邦电子25奈米DRAM制程平台，即将进入量产阶段，有助於客户在车用、工业、5G通讯等新的市场应用取得先机。

NeoFuse矽智财使DRAM产品在封装前的晶片测试及封装後的产品测试均可进行修补，达到多次修补(Multi-Repair)的目的。与传统雷射调校(Laser Trimming)相比，不仅降低调校成本与时间，并可使制造测试流程更加便利。尤其是在晶片封装後仍可进行修补(Repair)，大为提升多晶片封装(MCP)产品的生产良率。

可相容於DRAM制程平台的NeoFuse技术提供优於一般工作范围的操作电压区间，有利於客户在产品设计上具备弹性并有效降低功耗。此外，NeoFuse的高编程良率，只需一次编程便可将资料成功写入，可大幅降低操作的复杂性和测试成本。

力旺业务发展中心??总何明洲表示：「力旺的矽智财解决方案已成功地导入各类型的晶片应用。我们非常荣幸可以与世界领导之记忆体供应商华邦电子共同合作，将力旺的NeoFuse导入25奈米DRAM制程，我相信此项合作可使整体产品测试更加灵活，更有效率地提供符合高阶客户与应用需求的产品。」

力旺与华邦此次的合作对双方来说均是重要的里程碑，显示其在创新技术上的持续努力与致力提供值得信赖、高品质解决方案的决心。除了现阶段在25奈米DRAM制程的合作外，双方更进一步进行NeoFuse在二代DRAM制程的开发计画，预计在不久後即可完成布建。