台积电18日宣布，该公司在先进制程技术的开发上又获得两项重要成果，其一是在十二吋晶圆制造方面，台积电领先业界率先使用0.13微米制程技术成功试产出十二吋晶圆的4Mb SRAM测试芯片。台积电并预计在今年四月起，使用0.13微米、十二吋晶圆制程技术为客户试产芯片。此外，台积电已经完成0.10微米制程技术的基础模块（basic modules）设计，并且在新技术的开发及布局上，未来将更有弹性地与不同技术领域领先的客户进行策略联盟，统合0.10微米制程技术的设计准则，期能同时提高客户与台积电的竞争力。

台积电总经理曾繁城表示，台积电一向致力于提供客户最先进、最完备的制程技术与服务，台积电在十二吋晶圆制造技术以及下一世代0.10微米制程的卓越表现，不仅能进一步提升客户的竞争优势，更再一次确立了台积电在全球晶圆专业制造服务业界的领导地位。他同时表示，未来在新技术的开发及布局上，台积电将更有弹性地与不同技术领域领先的客户进行策略联盟，共同进行0.10微米制程技术的制程整合，在IDM公司逐步加重委外生产的趋势下，将更能同时提高客户与台积电的竞争力。