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解决7奈米以上CMOS的接触电阻挑战
 

【作者: 愛美科】2019年06月11日 星期二

浏览人次:【9677】

文/爱美科;编译/丘燕

源/汲极接触电阻:先进矽CMOS的技术瓶颈

源极/汲极是电晶体的接触电极,用来引入与移除载子(carriers)于电晶体的传导通道。传统的CMOS技术,利用金属导体(MS)接触特性,在金属侧具有过渡金属矽化物(例如镍矽化物),得以形成源极/汲极的接触电子。另一种普遍方式,是利用自对准矽化物制程,称为SALICIDE,让矽化物覆盖在整个源/汲极表面。
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