英特尔於2026 VLSI发表18A-P制程与GaN+Si数位电源技术

英特尔（Intel）日前在夏威夷举办的「2026年VLSI技术与电路研讨会上，首度公开其最新「Intel 18A-P」制程的关键进展，并在现场成功展示了全球首创的 300mm晶圆级氮化??与矽逻辑晶片（GaN+Si）单片整合技术。

此项技术利用异质材料的深度融合，打破了传统矽基晶片在高压电源管理上的物理极限。英特尔Foundry团队成功在标准300mm矽晶圆上，将高效能的氮化??（GaN）功率元件与包含约1,000个逻辑闸的矽数位控制方块（Digital control block）进行单片一体化整合（Monolithic integration）。

相较於传统外接式电源模组，这项突破能让AI晶片在单一硬体架构内实现极致高效、大规模的数位电源控制，大幅降低系统能耗。此外，最新的18A-P制程更导入「Power Boost」双接触低电阻电晶体设计，在同等功耗下使运算效能提升9%，并利用材料与结构创新将晶片热阻大幅降低了20%至40%，彻底解决了先进制程的散热降频痛点。
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