随着电动车、AI伺服器与储能系统等高功率应用需求持续升温，第三类半导体材料碳化矽（SiC）已成为能源转换效率提升的关键核心。面对全球市场快速变化，格棋化合物半导体董事长张忠杰指出，虽然短期仍存在终端调整与库存去化压力，但碳化矽的长期前景无庸置疑，正进入以「品质、效率与供应安全」为主轴的新一轮成长周期。

图一 : (左起)格棋化合物半导体业务处长吴义章、董事长张忠杰、人资长赖雅玲

张忠杰强调，格棋作为台湾少数具备自主长晶与制程能力的业者，将於今年第四季正式登录兴柜，藉此推进资本与技术的双重布局。他表示：「碳化矽并非快速爆发的市场，而是仰赖长期技术壁垒与应用黏着度。格棋的目标，就是要在这个关键材料链中建立稳固而有韧性的地位。」

根据Yole Group最新《Power SiC 2025》报告，2030年全球碳化矽功率元件市场将突破103亿美元，年均复合成长率达20%以上。报告显示，6寸晶圆仍是现阶段主流平台，并在价格与良率上具备成熟优势；而8寸晶圆则将在未来数年逐步放量，与6寸长期并存。
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