近年來，隨著互補式金氧半導體（CMOS）特徵尺寸的微小化，為維持電晶體閘極氧化層的穩定度，低電壓已成為無可避免的趨勢。如圖一所示，根據2004年半導體工業協會（Semiconductor Industry Association）所發表的國際半導體技術路徑圖（International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS）可知，預計於2020年底，超低電壓0.4V將被採用[1]。然而，考慮到數位電路的漏流（leakage）及雜訊邊際（noise margin）等問題，臨界偏壓（threshold voltage）並未能跟隨莫爾定律(Moore’s law)作有效地降低，因而使電晶體的驅使電壓（overdrive voltage）隨著製程演進而逐漸下降。如此一來，電路特性將受到嚴重限制，特別是對敏感的射頻前端部份。本篇文章，將以互補式金氧半導體（CMOS）元件作出發點，說明低電壓對無線前端電路的影響；之後，將分別針對低雜訊放大器、混頻器及壓控振盪器，就傳統的低電壓架構進行回顧；同時，也將展示我們目前的研究成果。

《圖一　2004年國際半導體技術路徑圖對CMOS製程使用電壓之預測[1]》

低電壓對CMOS電晶體影響：

轉導(transconductance)及操作頻率
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