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新一代单片式整合氮化??晶片
升级功率电路性能

【作者: imec】2022年05月05日 星期四

浏览人次:【4841】

在这篇文章里,imec氮化??电力电子研究计画主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智慧功率晶片(IC)平台上,整合高性能萧基二极体与空乏型高电子迁移率电晶体(HEMT)的成功案例。


该平台以p型氮化??(GaN)HEMT制成,并成功整合多个GaN元件,将能协助新一代晶片扩充功能与升级性能,推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点(POL)转换器所需的开发动能,进一步缩小元件尺寸与提高运作效率。


电力电子半导体的最隹解答:氮化??(GaN)
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