因为通讯产品和网络的蓬勃发展，上一波经济成长维持了十年多的景气荣景。上一波景气在上一世纪的最后一年之第三季开始走下坡，不景气时间愈拖愈久，随着网络泡沫化，不景气更形严重。

美国联邦准备理事会多次调降基本利率，正要带来春天的燕子，到太平洋彼岸。不料，2001年9月11日发生纽约世贸中心双塔被飞机炸弹攻击事件，财产损失已经够严重，而心理层面的悲观，促使美国人民与企业减少消费性支出。经济学评估，911事件将延后美国景气复苏至少六个月。台湾的经济景气循环受美国影响很大，电子产业尤然，可谓如影随形。

半导体产业现况及趋势

产值已是全世界排名第四的台湾半导体晶圆业，正处在最寒冷的冬季，台积电与联华电子产能利用率大为降低，与过去荣景比较，利润微薄。生产内存的晶圆厂更惨，128MB DRAM市场现货价格由当初每颗20美元，跌落到1美元。

预计2001年将有三到五家公司加入五十亿元俱乐部。所以台湾的晶圆厂势必要检讨公司营运计划，缓建新厂，减少财务支出。除此之外，现存晶圆厂必须趁不景气、生产设备使用率低时，利用空挡，开发下一代制程。今年第一季0.18um制程已成为成熟的主流制程，跳跃过0.15um，晶圆厂已加速开发0.13um制程。许多知名的半导体产业研究机构预测公元2003年将走到0.1um制程。

制程研发现况

目前晶圆厂曝光机大多用波长为248 nm的光源，若走到0.1um制程，特别精准层必须开始使用193 nm的光源。事实上台湾已有三到五台193 nm的曝光机，但其微影制程（ lithography ）尚未开发成熟，若要继续使用248 nm曝光机，则必需要用相位移光罩，或附有光学近接干扰修正（optical proximity correction，简称OPC）图案的光罩。

光罩工业现况

在1998年左右，台湾新成立三家光罩公司，加上原来的两家独立光罩公司（merchant mask shop）及两个晶圆厂附属光罩部门（captive mask shop），非常短期间内，因为光罩产能超过需求，流血竞争，许多光罩厂亏损累累。公元2000年是台湾光罩业的整合（consolidation）年，一连串的合并，台湾光罩厂减少为如(表一)所列的五家。

如表所示，光罩产值平均以每年约以60％以上成长。年轻的光罩厂也在2000年时转亏为盈，并在2001上半年尝到利润大幅增加的甜头。随着不景气时间拖得愈来愈长，光罩厂利润在下半年开始下降。根据现况及景气不知何时回升，今后一、二年应该不会有新光罩厂加入，否则杀戮战场又将重现。

光罩及光罩制程技术

在光罩的制作技术部分，大致可以分成传统光罩、相位移光罩技术（ Phase Shift Mask；简称PSM）、光学近接修正光罩技术（Optical Proximity Correction；简称OPC）等三种。

三种技术区别

传统光罩的精密程度不高，适用微距（critical dimension; 简称CD）较宽的制程。相位移光罩是利用不同相位的光源，来消除光之干射及绕射现象，主要功能为提高分辨率、及景深（Depth of Focus；简称DOF），从而增加微影制程的Process Latitude，被应用在精密程度较高的制程。光学近接修正主要用来修正晶圆微影制程时，因设计线路所在环境不同，而造成晶圆线宽的分布不均，及修正线路端造成线端缩短的现象。

目前各光罩厂正积极开发给0.13um晶圆制程的光罩制程，两年后就需要0.1um晶圆制程的光罩。当分辨率要达到0.4um （0.1 x 4）时，现有的雷射光罩读写机（laser writer），无法解析出来，必须使用电子束光罩读写机（Electron Beam writer）。并且为了达到严谨的线宽均匀度（CD uniform）要求，电子束读写机必须在长期间内保持高稳定性曝光（其实是曝电子）能力。市面上已有高稳定性电子束读写机，且分辨率极佳，这种读写机可用来制造型有OPC structures的光罩。

两种蚀刻法

过去传统光罩（Binary Mask）都用湿式蚀刻法（wet etch），因为其本身蚀刻特性，用来做0.13um或0.1um光罩相当困难。干式蚀刻法（dry etch，使用电浆）具有不等向蚀刻（anisotropic etch），small process bias，和较佳的均匀度等长处，被用来制作高阶（high end）传统光罩。干式蚀刻法也有它的弱点。因为它的制程特性，容易在光罩上造成缺陷，且缺陷数目多，缺点修补困难，若无法修补大缺陷，或修补耗时太多，则必须重做光罩。如何减少缺陷，提高干蚀刻制程良率（yield），对工程师是一大挑战。

做到0.1um制程，晶圆厂在关键层（critical layers）可能使用193nm的曝光机，如微影制程须要更大的制程操作空间（process latitude），可使用半透光相位移光罩（Half Tone Phase Shift Mask）。业界使用的半透光材料主要是氮氧基硅化钼（MoSiOxNy），日本供货商已用MoSiOxNy做出6%透光率的空白片（mask blanks），适用193nm波长，唯材料均匀度及缺陷控制，仍待改善。参考(图一)、(图二)。

《图二 传统光罩制程》