意法半導體（STMicroelectronics）今（5）日發表，推出新系列射頻（RF）功率電晶體。新系列產品採用先進技術，為政府通訊、用於緊急救援的專用行動無線電系統（private mobile radio，PMR）以及L波段衛星上連（L-band satellite uplink）設備等要求苛刻的重要應用領域提高無線通訊系統的性能、穩健性及可靠性。

新系列射頻（RF）功率電晶體

保全和緊急救援組織及商業通訊公司所使用的無線基地台和中繼器等通訊設備必須在輸出大功率高頻RF訊號的同時保持低失真率，這兩個相互矛盾的要求使系統設計變得更加複雜，並增加了相對的產品成本。多年來市場應用證明，LDMOS技術可以為設計人員實現這些目標。

LET系列RF電晶體採用意法半導體最新的STH5P LDMOS製造技術，擁有更高的功率飽和功能，可最大幅度地降低訊號在大功率下的失真率。新系列產品的工作頻率高達2GHz，且大幅改進了線性、穩健性和可靠性。能效更較上一代LDMOS產品提高了10-15%。

此外，新系列產品的增益也比上一代產品提高3dB，這有助於簡化放大器設計，最大幅度地減少元件數量。其它進階功能還包括崩潰電壓從65V提高至80V，更佳的熱性能可大幅提高系統可靠性和負載失匹功能。

意法半導體RF產品行銷和應用支援經理Serge Juhel表示，LDMOS是實現高速且穩健的無線通訊的關鍵技術，該公司的下一代產品將協助設備設計人員提高RF功率，而不會降低重要的系統性能指標，包括線性、穩健性及可靠性。我們此次推出的先進產品將為專用行動無線電系統、政府寬頻通訊、航太通訊系統以及衛星上連射頻等重要應用領域帶來優勢。