Diodes近日宣佈，推出採用超小型SOT963封裝的雙極電晶體（BJT）、MOSFET和瞬態電壓抑制（TVS）元件，適合低功耗應用，Diodes SOT963的佈局面積只有0.7平方毫米，比SOT723封裝少30%，較SOT563封裝少60%。精簡的佈局面積加上0.5毫米的離板高度，讓Diodes的SOT963封裝產品能夠滿足廣泛的超小型可攜式電子設備的要求。

Diodes SOT963

現階段推出的SOT963封裝產品，包括六款通用的雙極雙電晶體組合、三款小訊號雙MOSFET組合及一個四線配置TVS陣列DUP412VP5。這些設備的針腳封裝支援手焊及目測，省卻了X光檢測。

採用了SOT963封裝的雙電晶體，包括雙NPN、雙PNP和互補NPN-PNP配對，額定集射極崩潰電壓（VCEO）為40V和45V。雙N型、雙P型及互補MOSFET元件提供20V的額定汲源極崩潰電壓（BVDSS），額定導通電阻（RDS(ON)）都在1.5V下測量。