國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布為一家領先的消費性電子產品公司的家庭劇院系統,成功測試並量產供應採用其革命性氮化鎵 (GaN) 功率技術平台製造的元件。
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IR氮化鎵元件 BigPic:400x600 |
IR總裁暨執行長Oleg Khaykin表示:「採用IR旗下尖端的GaN技術平台及IP產品組合之元件進入商用出貨階段,再次成功延伸我們在功率半導體元件市場的領導地位,以及預示功率轉換新時代的來臨,這正好與公司旨在協助客戶節省能源的重要願景相輔相成。IR熱切期望,GaN技術對功率轉換市場的影響力能夠至少媲美我們在30年前所推出的功率HEXFET。」
有關成就標誌著IR在功率管理市場的策略性優勢,藉以帶來高資本效率的元件製造模式。相比先進的矽技術,GaN技術平台能夠為客戶改進主要特定應用的性能指數 (FOM) 多達10倍。這次IR邁向新的里程碑,彰顯出該公司一直致力為客戶提供頂尖的功率管理技術。
Khaykin總結稱:「長遠而言,GaN技術適用於IR所有業務單位及產品線。我們欣然見證該技術有效促進公司長遠收入增長和增加市場佔有率。我謹向所有相關人士致以衷心的謝意,並且祝賀他們取得非凡的成就。」
這款開創先河的GaN功率元件技術平台,是IR經過10年的時間,基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發及研究的成果。該高生產量的150mm矽上GaN磊晶和相關的元件製造程序,能夠全面與IR具備成本效益的矽製造設施配合,為客戶提供世界級的商業可行性GaN功率元件製造平台。