意法半導體（ST）日前推出新系列射頻（RF）功率電晶體。新系列產品為政府通訊、用於緊急救援的專用行動無線電系統（private mobile radio，PMR），以及L波段衛星上連（L-band satellite uplink）設備等應用領域提高無線通訊系統的性能。

ST推出新系列射頻功率電晶體，採用ST最新的STH5P LDMOS製造技術，可降低訊號在大功率下的失真率。

保全和緊急救援組織及商業通訊公司所使用的無線基地台和中繼器等通訊設備，必須在輸出大功率高頻RF訊號的同時保持低失真率，這兩個相互矛盾的要求使系統設計變得更加複雜，並增加了相對的產品成本。多年來市場應用證明，LDMOS技術可以為設計人員實現這些目標。

LET系列RF電晶體採用ST最新的STH5P LDMOS製造技術，擁有更高的功率飽和功能，可降低訊號在大功率下的失真率。新系列產品的工作頻率高達2GHz，改進了線性、穩健性和可靠性。能效更較上一代LDMOS產品提高了10-15%。

此外，新系列產品的增益也比上一代產品提高3dB，這有助於簡化放大器設計，減少元件數量。其它進階功能還包括崩潰電壓從65V提高至80V，更佳的熱性能可提高系統可靠性和負載失匹功能。