香港商富士通微電子有限公司台灣分公司8日宣佈，東京工業大學（Tokyo-Tech）、富士通實驗室(Fujitsu Laboratories Ltd.)與富士通有限公司已經聯合開發出一種用於新一世代非揮發性鐵電記憶體(FeRAM)的新型材料。相較於目前FeRAM生產中使用的材料，此種包含铋鐵氧體（BiFeO3

或BFO）的合成材料能提供多出五倍的資料儲存容量。

藉由採用類似於以180奈米製程技術製造的FeRAM所使用的裝置架構，此款全新FeRAM採用以BFO為基礎的材料，並運用65奈米製程技術所打造，因此可將記憶容量擴展到256Mbit。

新款FeRAM具備超低功耗與高速傳輸速度，可滿足新一世代個人化行動電子產品，例如：擁有小巧、易於操作、高安全性等特點的IC卡等。對於這類電子產品來說，非揮發性的FeRAM裝置是最適合的選擇。富士通預計將於2009年推出樣品。