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安捷倫推出業界最小的單電壓、加強模式之E-pHEMT GaAs FET
適合3伏特的高線性度與較高頻率的設計

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠報導】   2001年10月29日 星期一

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安捷倫科技表示,該公司日前發表的Agilent ATF-541M4,是業界最小的單電壓E-pHEMT(1) GaAs FET(2)。Agilent ATF-541M4迷你的無引線封裝尺寸只有1.4 mm x 1.2 mm x 0.7 mm,使用的電路板空間比傳統的SC-70封裝(2.1 mm x 2.0 mm x 0.9 mm)省了60%。這個元件具備了小尺寸、低雜訊和高線性度等特色,非常適合塔架裝置放大器和前端LNA,或操作頻率為900 MHz和1.9 GHz的GSM/TDMA/CDMA/W-CDMA基地台的混合模組。

在2 GHz的頻率(3 V,60 mA)下,典型的效能為0.5 dB的雜訊指數,+35.8 dBm的OIP3、+21.4 dBm的P1dB及17.5 dB的相關增益。在5.8 GHz的頻率(3 V,60 mA)下,典型的效能為1.2 dB的Fmin、+37.6 dBm的OIP3、+19.4 dBm的P1dB及11.9 dB的相關增益。

安捷倫的E-pHEMT增強模式元件是第一個商品化的單電源GaAs電晶體,操作時不需要用到負閘偏壓電壓。它們可以簡化介於450 MHz至6 GHz頻率範圍內的許多應用中,有關接收器與發射器的設計,並節省其成本。

ATF-541M4及採用SC-70封裝的ATF-54143,在較高的頻率下均具備了優異的線性度、P1dB和NF效能,尤其是在5 GHz至6 GHz的頻率範圍內表現最好。對於5 GHz 802.11a和HiperLAN/2無線LAN網路介面卡來說,這兩種元件的操作都能像驅動器放大器一樣有效。由於它們是為了在3V的情況下達到最佳的RF效能而設計的,因此很適合膝上型和掌上型電腦的PCMCIA標準PC卡使用。

關鍵字: 安捷倫科技  電壓控制器 
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