半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出首款嵌入矽基半橋驅動晶片和一對氮化鎵（GaN）電晶體的MasterGaN產品平台。該整合化解決方案將有助於加速最高400W之下一代輕量節能消費性電子、工業充電器，以及電源轉接器的開發速度。

ST全新嵌入矽基半橋驅動晶片和一對氮化鎵（GaN）電晶體的MasterGaN產品平台相較矽充電器和轉接器，尺寸縮小80%，重量減輕70%，且充電速度提升3倍

GaN技術使電力裝置能夠處理更大功率，同時裝置本身將變得更小、更輕，而且更節能。這些改良將會改變智慧型手機超快充電器和無線充電器、PC和遊戲機的USB-PD高功率配置轉接器，以及太陽能儲電系統、不斷電供應系統或高階OLED電視機，還有雲端伺服器等工業應用。

在目前的GaN市場上，功率電晶體和驅動IC通常是離散元件，這使設計人員必須學習兩者間的協同作業，以達到最佳性能。意法半導體的MasterGaN繞過了這一挑戰，縮短了產品上市時間，並獲得預期的性能，同時使封裝變得更小、更簡單、電路元件更少，而且系統變得可靠性更高。透過GaN技術和意法半導體整合式產品的優勢，採用新產品的充電器和轉接器將相較普通矽基解決方案尺寸縮減80％，重量亦降低了70％。

意法半導體執行副總裁、類比產品分部總經理Matteo Lo Presti表示，「ST獨有的MasterGaN產品平台透過我們經過市場檢驗的專業知識和設計能力，再整合高壓智慧功率BCD製程與GaN技術而成，能夠加速開發兼具節省空間、高效能的產品。」

MasterGaN1是意法半導體新產品平台的首款產品，其整合兩個半橋配置的GaN功率電晶體和半橋驅動晶片。

MasterGaN1現已量產，採用9mm x 9mm GQFN封裝，厚度僅1mm。