帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Littelfuse公司宣佈推出低電容型瞬態抑制二極體陣列
保護差分數據線免受ESD、CDE、EFT和雷擊感應突波造成的損害

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2014年08月20日 星期三

瀏覽人次:【4016】

Littelfuse公司是電路保護領域企業,日前宣佈推出了低電容型SP2574NUTG瞬態抑制二極體陣列(SPA二極體),旨在保護高速差分數據線免受ESD(靜電放電)、CDE(電纜放電)、EFT(電氣快速瞬變)和雷擊感應突波造成的損害。 SP2574NUTG來自SP2574N系列瞬態抑制二極體陣列,可在高達40A(IEC61000-4-5)和高達30kV ESD(IEC61000-4-2)的條件下保護四個通道或兩個差分線對。 低電容(從I/O到接地端僅為3.8pF TYP)和低箝位電壓(40A條件下相比同類解決方案要低15%)使其成為保護高速數據介面的理想選擇,例如筆記型電腦、開關、伺服器等的1GbE應用。它還非常適合用於WAN/LAN設備、LVDS介面、集成高頻磁性元件和智慧電視應用。

/news/2014/08/20/2347159810S.JPG

Littelfuse公司瞬態抑制二極體陣列產品系列總監Chad Marak表示:“SP2574NUTG可幫助設計工程師保護最先進的晶片集(例如乙太網PHY)免受各種可引起過早失效或軟件誤差的電氣威脅損害。它的‘直通式’設計可保障訊號完整性、降低電壓過衝並簡化PCB設計。”

SP2574NUTG TVS瞬態抑制二極體陣列具有以下關鍵優勢:

‧ 可靠的突波和ESD保護功能讓設計工程師能夠確保其設計可達到或超過有關GR-1089、ITU和YD/T的全部監管要求。

‧ 40A條件下的動態電阻極低,僅為0.13?,相比同類解決方案可將箝位電壓降低15%。

‧ 憑借每個輸入/輸出端與地面之間低至3.8pF(TYP)的電容,該解決方案可確保1GbE等高速差分線對應用的訊號完整性。

‧ 小型(3.0 x 2.0毫米)μDFN-10封裝可節省寶貴的電路板空間,讓設計師能夠直接將導線佈在設備下方,而無需採用可能造成阻抗不適合的短線。

關鍵字: 二極體  Littelfuse 
相關產品
Littelfuse超級結X4-Class 200V功率MOSFET具有低通態電阻
Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列
Littelfuse推出高頻應用的雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器
Littelfuse擴展ITV 5安培額定電流電池保護器系列
Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT
  相關新聞
» 茂綸攜手數位資安共同打造科技新未來
» 英國公司推出革新技術 將甲烷轉化為高品質石墨烯
» 韓國研發突破性半導體封裝技術 大幅提升產能並降成本
» 美國聯邦通訊委員會發布新規定 加速推動C-V2X技術
» DigiKey第16屆年度DigiWish佳節大放送活動即將開始
  相關文章
» ChipLink工具指南:PCIe® 交換機除錯的好幫手
» 創新光科技提升汽車外飾燈照明度
» 以模擬工具提高氫生產燃料電池使用率
» 掌握石墨回收與替代 化解電池斷鏈危機
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT49G0TCSTACUKY
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw