Cypress公司發表一款全新4-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體（non-volatile static random access memory；nvSRAM），具備15奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色，十分適合需要持續高速寫入資料，與絕對非揮發資料安全等應用，包括：RAID的應用、環境嚴苛的工業控制、以及在汽車、醫療、數據通訊系統中的資料記錄功能。nvSRAM為快速、非揮發性記憶體提供最佳替代方案。相較於電池備援的SRAMS，nvSRAM所需電路板空間更少、設計複雜度更低，而且比MRAM或鐵電記憶體（FRAM）更為經濟實惠。此最新nvSRAM產品也是Cypress所推出一系列nvSRAMs中的最新產品，包括256K-與1-Mbit的nvSRAM元件，並且皆已量產供貨中。預計在2008年上半季將會陸續發表更多產品。

Cypress全新4-Mbit nvSRAM

此款全新4-Mbit nvSRAMs採用Cypress的S8 0.13微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，矽氧化氮氧化矽）嵌入式非揮發性記憶體技術，具備更高密度，並能改善存取時間與效能。Cypress為SONOS製程技術之領導廠商，未來亦會將S8技術運用在下一世代的PSoC混合訊號陣列、OvationONS雷射導引感測器（navigationsensors）、可編程時脈以及其他產品上。SONOS除了高度相容於標準型CMOS技術外，還具備許多優點包括：高耐用度、低功耗、抗輻射。此外，與其他嵌入式非揮發性記憶體技術相較，SONOS可提供更穩定、兼具量產規模與經濟效益的解決方案。