Vishay宣佈，該公司正推出率先採用其創新型PolarPAK封裝的兩款功率MOSFET，該封裝使用雙面冷卻，可降低熱阻、封裝電阻及封裝電感，從而實現更高效、更快速的開關功率MOSFET。PolarPAK經過專門設計，可輕鬆處理及安裝到採用高速組裝設備的PCB上，從而在大批量生產中可實現高組裝良品率。這是PolarPAK為什麼贏得了具有雙面冷卻特性的第一個MOSFET封裝這一聲譽的原因之一，自2005年3月Vishay與STMicroelectronics締結使用許可協定開始，多家廠商將採用該封裝。

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首款PolarPAK功率MOSFET為30V n通道SiE802DF與SiE800DF。SiE802DF專為同步整流直流到直流轉換器中的低端控制開關進行了優化，該器件在10V柵極驅動時具有最大1.9毫歐的超低導通電阻（在4.5V 時最大為2.6毫歐），並且可處理高達60A的電流。SiE800DF專為用作同步直流到直流轉換器設計中的低占空比高端MOSFET而進行了優化，該器件具有12 nC的超低典型柵極電荷Qg，在10V時其導通電阻最大為7.2毫歐，在4.5V時為11.5毫歐。

這兩款新型PolarPAK功率MOSFET具有與標準SO-8封裝相同的占位面積，它們上表面的熱阻為1°C/W，下表面的熱阻為1°C/W。這提供了兩條散熱路徑，從而使這兩款器件的電流密度比標準SO-8高一倍。憑藉更高的結-環境熱阻抗，PolarPAK功率MOSFET可處理更高功率或以更低的結溫運行。更低的結溫意味著更低的rDS(on)，從而意味著更高的效率。結溫降低20°C還可使使用壽命可靠性提高2-1/2倍。