絕緣層上覆矽（SOI）晶圓與其它半導體生產用工程基板製造商Soitec（Euronext Paris），12日宣布其應用於65奈米線寬以下製程的應變絕緣矽（sSOI）晶圓已經上市，並成為業界首款因應未來需求而量產的商業基板。綜合應變絕緣矽的高移動速度優勢，以及絕緣層上覆矽具備的高速與低功率耗損特性，Soitec的新應變絕緣矽晶圓設計，可為新一代晶片帶來更多在效能及功率上的優勢。

Soitec總裁暨執行長André-Jacques Auberton-Hervé表示：『最新一批絕緣層上覆矽基板，目標鎖定網路處理、運算、遊戲及高階無線產業內的進階應用，而對這些應用來說，速度及極低功率十分重要。除了讓晶片製造商可以更進一步擴大其產品的效能與功率優勢，我們新的應變絕緣矽晶圓將會是未來之可延伸平台。』

Soitec指出，新一批應變絕緣矽基板之所以能吸引客戶的興趣，主要來自於市場與技術領導廠商希望能大幅提升電子移動速度，同時降低閘極的漏電與耗電量。此外，應變絕緣矽可協助克服CMOS製程感應的應變技術所帶來的收縮問題，並為調整頻寬間隙打開了一扇門。目前，Soitec為部分及完全耗盡裝置架構，提供應變絕緣矽產品。由於應變絕緣矽與目前絕緣層覆矽和CMOS的製程相容，並經證實可用於多鰭狀通道電晶体（FinFETs）或多閘極通道電晶體（Multigate FETs）、 加上顯著的移動能力增加與未來延伸性，應變絕緣矽對65奈米以下的裝置來說，扮演十分重要的角色。

為達到客戶對發展中應變絕緣矽的要求，Soitec已將其300毫米應變絕緣矽平台從開發轉換到第一階段的量產，這與公司進一步擴展產能，以符合市場要求的策略計劃一致。Auberton-Hervé總結：『就像當初發展絕緣層上覆矽一樣，我們將開始進行初期製造以因應早期使用者的需要。接下來，當主流市場開始大量使用這項創新基板技術時，便啟動量產步驟。此時，我們會持續專注於提高品質以符合客戶不斷演變的技術需求。』