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ST NAND快閃記憶體產品轉換為70nm製程
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2006年12月05日 星期二

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意法半導體(ST)宣佈該公司全線採用70nm製程的NAND快閃記憶體產品現已上市。隨著512-Mbit(Small Page)和1/2/4/8-Gbit(Large Page)快閃記憶體轉換為ST先進的70nm製程,使該系列產品擁有領先的NAND快閃記憶體技術,並具有價格較低及功率消耗較小等特色。

NAND快閃記憶體
NAND快閃記憶體

高容量的記憶體晶片專為各種電腦運算及消費電子應用產品提供大容量資料儲存的功能,如,數位相機、PDA、GPS導航系統、快閃記憶卡和USB隨身碟、印表機、機上盒、數位電視機、汽車多媒體系統和多媒體手機等。

此系列產品都具有超快速度的數據傳輸和抹除功能。此系列產品透過一條8-bit或16-bit蚻y排來傳輸Address lines和Data Input/Outputs的信號,這種Multiplex技術不僅可以減少封裝接腳的數量,系統還可應用模塊化的NAND介面,無需改變板面的線路設計,即可自動調整使用不同容量的快閃記憶體。

新產品具有“Chip Enable Don’t Care”的功能,這個功能可簡化微控制器的介面設計,以及NAND快閃記憶體與其它類型記憶體(NOR快閃記憶體和xRAM)的整合。 在需要採用速度更快的代碼和工作記憶體時,及在儲存大容量檔案時需採用成本更低、密度更高的NAND快閃記憶體的應用中,將不同類型的記憶體晶片整合在一個封裝內是最常用的解決方案。

關鍵字: 快閃記憶體  義法半導體(ST::半導體快閃記憶體 
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