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Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎報導】   2008年12月24日 星期三

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Vishay宣佈推出新型20-V和30-V p-通道TrenchFET功率MOSFET。該器件採用SO-8封裝,具有±20-V柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。

Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET
Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET

現有的同類SO-8封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至24 mΩ,而Si7633DP具有3.3 mΩ(在10 V時)及 5.5 mΩ(在4.5 V時)的超低導通電阻。這些值比一般30-V器件低27%(在10 V時)和28%(在4.5 V時),比一般25-V SO-8器件分別低28%和15%。30-V Si7135DP的導通電阻為 3.9 mΩ(在10 V時)和6.2 mΩ(在4.5 V時),比一般同類器件分別低13%(在10 V時)和19.5%(在4.5 V時)。

兩款 MOSFET均採用PowerPAK SO-8封裝,可容許比其他SO-8封裝器件高60%的最大漏電流和高75%的最大功率損耗。

該器件可用作適配器切換開關,用於筆記本電腦及工業/通用系統中的負載切換應用。適配器切換開關(在適配器/牆壁電源和電池電源間切換)一直處於導通狀態,消耗電流。Si7135DP和Si7633DP的低導通電阻能耗低,節省電力並延長兩次充電間的電池可用時間。Vishay還推出了採用SO-8封裝的 Si4459ADY 30-V p-通道TrenchFET功率MOSFET。該器件具有5 mΩ(在10 V時)和7.75 mΩ(在4.5 V時)的導通電阻。此次推出的所有器件100%通過Rg和UIS認證,且不含鹵素。

關鍵字: MOSFET  vishay 
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