英飛凌科技於中國國際電源展覽會(CPS EXPO)的會展中，宣佈採用SSO8(SuperSO8)和S308(Shrink SuperSO8)封裝的OptiMOS 3 40V、60V和80V N通道MOSFET已上市，其無導線封裝處於上述崩潰電壓時，具備最低的導通電阻(RDS(on))。相較於標準的TO(電晶體外觀)封裝，SuperSO8產品提高多達50%的功率密度，尤其在伺服器SMPS(開關式電源)中應用做同步整流的時候。例如，新的頂級SSO8裝置一般在20%的空間需求上具有一般D2-Pak封裝導通電阻值。

英飛凌科技電源管理與驅動事業部總監Gerhard Wolf說道：「低電阻和低電感的無導線封裝把封裝對整體裝置行為的影響降至最低，並將OptiMOS 3矽技術的能力推向最高。」

OptiMOS 3 40V裝置的最大導通電阻可降低至1.8毫歐姆，60V裝置是2.8毫歐姆及80V裝置是4.7毫歐姆，此導通電阻值將成為SuperSO8封裝使用量的新規範，與競爭對手相比，其導通電阻降低多達50%。這些裝置的優值系數(FOM,計算公式為導通電阻乘以閘電荷)相較於標準TO封裝的相同之處，提升了多達25%，因此開關更快速，而且能將開關和閘驅動損耗降至最低。驅動程式因此能提高功率密度及減少熱度產生。SSO8封裝的低電感封裝(低於0.5 nH，相較於TO-220方案的5至10 nH) 進一步改善整體效率並將開關時的鳴聲降至最低。整體封裝高度為1mm以及Rth-jt(熱阻、接合點至頂端)為16° K/W的SuperSO8，不但對於內嵌式系統中執行頂端散熱的方案有幫助，對於在3D整合系統中作為垂直定位的PCB型模組也有貢獻。