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英飛凌推出全新PQFN 系列源極底置功率MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨報導】   2022年12月23日 星期五

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為了滿足電力電子系統設計趨向追求更先進的效能和功率密度,英飛凌科技(Infineon)在 25-150 V 等級產品中推出全新源極底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列,包括有底部冷卻(BSC)和雙面冷卻(DSC)兩個版本。新品系列從元件層級大幅強化,提供DC-DC電源轉換解決方案,適用於伺服器、電信、OR-ing、電池保護、電動工具、充電器應用的系統。

英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET bb系列新增PQFN 雙面冷卻 25-150 V 產品組合
英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET bb系列新增PQFN 雙面冷卻 25-150 V 產品組合

新產品組合結合英飛凌最新的MOSFET技術與最先進的封裝,將系統效能提升到新層次。在源極底置(SD)概念中,MOSFET晶粒源極接點翻轉朝向封裝的底面,然後焊接到 PCB。此外,此概念還包含改善晶片頂部的汲極接點設計,以及領先市場的晶片封裝面積比。

隨著系統外形尺寸不斷縮小,有兩項關鍵至關重要:減少功率損耗和最佳化散熱管理。與同級最佳的 PQFN 3.3 x 3.3 m2 汲極向下裝置相比,新系列導通電阻 (RDS(on)) 大幅改善了 25%。英飛凌的 OptiMOS 源極底置 PQFN 具有雙面冷卻功能,可提供強化的熱介面,將功率損耗從開關轉移到散熱器。雙面冷卻版本用最直接的方式將電源開關連接到散熱器,其功率消耗能力較底部冷卻源極底置版本提高多達三倍。

兩種不同的封裝版本均為 PCB 佈線帶來最佳化的彈性。傳統的標準閘極版本可快速輕鬆地修改現有的汲極向下設計。中心閘極(CG)版本為並聯裝置開闢全新可能性,將驅動器到閘極間的連接盡可能地縮至最短。整個OptiMOS源極底置PQFN 3.3 x 3.3 mm2 25-150 V 產品系列皆擁有高達 298 A 的卓越連續電流能力,能夠讓

系統發揮最高效能。

OptiMOS 源極底置 PQFN 3.3 x 3.3 mm2 25-150 V產品系列包含標準閘極和中心閘極兩種尺寸版本,均採用雙面冷卻封裝,即日起接受訂購。

關鍵字: MOSFET  Infineon(英飛凌
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