帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
東芝推出新一代Superjunction功率MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2018年08月31日 星期五

瀏覽人次:【2484】

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出新一代650V Superjunction功率MOSFET – TK040N65Z其用於資料中心的伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)及其他工業應用。此IC已開始量產出貨。

/news/2018/08/31/1648088850S.jpg

TK040N65Z為東芝DTMOS VI系列首款650V元件,支援57A連續汲極電流(ID)及228A脈衝電流(IDP)。提供0.04Ω(0.033Ω典型值)的超低汲源極導通電阻RDS(ON),以減少電源應用的損耗。更低的電容設計,使其IC成為現代高速電源應用首選元件。

改善並壓低主要性能係數- RDS(ON) x Qgd,電源效率隨之提高。相較於上一代DTMOS IV-H產品,TK040N65Z在此係數降低了40%,表示在2.5kW PFC電路效率表現上將會顯著地上升0.36%。

新產品為工業標準TO-247封裝,不論在傳統設計或是新應用上皆便於使用。

關鍵字: MOSFET  東芝(Toshiba
相關產品
Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體新產品
Littelfuse推出高頻應用的雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器
ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用
Toshiba電子保險絲eFuse IC新系列可重複使用
英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效
  相關新聞
» 史丹佛教育科技峰會聚焦AI時代的學習體驗
» 土耳其推出首台自製量子電腦 邁入量子運算國家行列
» COP29聚焦早期預警系統 數位科技成關鍵
» MIPS:RISC-V具備開放性與靈活性 滿足ADAS運算高度需求
» 應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式
  相關文章
» 創新光科技提升汽車外飾燈照明度
» 以模擬工具提高氫生產燃料電池使用率
» 掌握石墨回收與替代 化解電池斷鏈危機
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP97Q6D4STACUKD
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw