帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
凌力爾特雙組降壓DC/DC控制器具備數位電源系統管理效能
提供DrMOS及電源模塊與快速的70ms上電時間

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2015年08月21日 星期五

瀏覽人次:【2977】

凌力爾特(Linear)日前發表雙組輸出同步降壓DC/DC控制器LTC3887-1,該元件可透過I2C PMBus介面來進行數位電源系統管理。與先前發表的 LTC3887不同的是,LTC3887-1提供三態PWM訊號,並可使用DrMOS、電源模塊或相近的電源級。LTC3887-1擁有更強化的特性,包括70ms上電時間及快速的ADC模式,可針對每一個參數提供8ms 更新率。

/news/2015/08/21/1559485790S.jpg

LTC3887-1 可調節兩個獨立的輸出,或可針對兩個相位單一輸出配置於0.5V至5.5V。達 6個相位可交叉和並聯,以於多個IC之間精準分享,而能針對高電流或多個輸出應用將輸入和輸出濾波要求降至最低。內建的放大器提供真正的差動遠端輸出電壓感測,因此可達到相當精準的穩壓而可獨立於板IR壓降之外。應用範圍包括於電訊、資通訊、運算和儲存市場的大電流ASIC、FPGA和處理器。

LTC3887-1可操作於4.5V至24V輸入電壓範圍,並可在整個工作溫度範圍內透過每相位高達40A的輸出電流從0.5V至5.5V產生+/-0.50%的精準輸出電壓。最高效率可使用橫跨輸出電感(DCR)的壓降來進行電流感測而獲得、或透過選配式的外部感測電阻達成。可設定的DCR溫度補償可取消銅電感的溫度係數,並可於寬廣的溫度範圍內維持精準和恆定限流。

跨越多個晶片的精準計時以及基於事件(event-based)的定序可針對複雜、多電源端系統達到最佳上電和斷電。其他功能包括具備週期對週期限流的定頻電流模式、可調式軟啟動、可同步切換頻率、可指示元件狀態並提供自主性故障回復的可設定GPIO針腳。

LTC3887-1結合最佳化的類比切換穩壓器效能及精準的混合訊號數據轉換,以在電力系統設計和管理上提供高度簡易性。該元件擁有LTpowerPlay電源開發系統支援,具備簡易的圖形使用者介面(GUI)。LTC3887-1可透過數位設定和回讀即時控制及監視關鍵的負載點轉換器功能。可編程控制參數包括輸出電壓、餘裕管理和電流限制、輸入和輸出監視限制、上電定序和追?、切換頻率,及確認與可追蹤的資料。晶片上的精密資料轉換器和EEPROM可擷取和非揮發性儲存穩壓器配置的設定和遙測變量,包括輸入及輸出電壓和電流、工作週期、溫度和故障記錄。

針對LTC3887-1的配置可採用凌力爾特的LTpowerPlay GUI-based 開發軟體輕易地儲存於元件I2C串列介面的內部 EEPROM。由於將配置儲存在晶片上,控制器可以自主上電,而不會造成主處理器的負擔。Default設定可針對輸出電壓、切換頻率,相位和裝置位址透過外部電阻分壓器選擇式配置。多種設計可輕易地校準並於韌體配置,以針對廣泛應用範圍最佳化單一硬體設計。該轉換器迴路增益不會因電源參數的修改而改變,因此補償可針對多個配置保持最佳化。

LTC3887-1目前供貨40接腳 6mm x 6mm QFN封裝,具備攝氏–40度至125度的操作接面溫度範圍。

產品特色

‧雙組輸出同步降壓DC/DC 控制器

‧可與DrMOS電源模塊及外部MOSFET閘極驅動器相容

‧I2C/PMBus相容串列介面

‧內部非揮發性EEPROM 記憶體

‧可設定的參數包括VOUT, ILIM,定序,裕度調整, OV/UV位準及切換頻率

‧遙測變量包括VIN, IIN, VOUT, IOUT,工作週期, 溫度及故障狀態和紀錄

‧VIN 範圍:4.5V 至 24V

‧VOUT範圍:0.5V 至5.5V

‧每通到達 40A

‧在整個接面溫度範圍內實現+/-0.5%的最大DC輸出電壓誤差

‧70ms上電時間

‧每8ms以快速的ADC模式升級一個可選式參數

‧溫度補償 DCR或RSENSE 電流感測

‧可為多達 6 個相位操作提供 PolyPhase

‧鎖相定頻 250kHz 至1MHz

‧6mm x 6mm QFN-40 封裝

關鍵字: 控制器  DC/DC  雙組輸出  同步  降壓  凌力爾特(Linear凌力爾特(Linear系統單晶片 
相關產品
Microchip安全觸控螢幕控制器系列新品提供加密驗證和資料加密功能
Microchip推出16通道PCIe第五代NVMe固態硬碟控制器
ABB新款機器人控制器協助彈性生產更快、更節能
Seagate全新Exos AP運算儲存平台採用AMD EPYC處理器強化整合效能
高紳國際推出可程式化控制器WPC-632-PICM4-5G
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» 國科會促產創共造算力 主權AI產業專區落地沙崙
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP9EIRIYSTACUKQ
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw