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IR推出四款新型12V HEXFET功率MOSFET
適用輸入電壓較低負載點降壓轉換器

【CTIMES/SmartAuto 蘇沛榕報導】   2003年03月20日 星期四

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國際整流器公司(International Rectifier),推出四款新型12V HEXFET功率MOSFET,適用於輸入電壓較低(一般為3.3V及5V)的負載點降壓轉換器。新MOSFET的電流處理效能較業界標準30V元件高出15%,非常適用於電信及數據通訊系統、桌上型電腦、伺服器及遊戲機內的負載點降壓轉換器。

圖片
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全新IRF7476、IRF7475、IRLR3802和IRLU3802 N通道MOSFET,以及IRF7910雙N通道MOSFET皆經過最佳化,元件導通電阻及柵電荷均較低,傳導及切換損耗因而得以大幅降低。

在低輸入電壓負載點降壓轉換器中,同步及控制MOSFET的工作週期頗為相似,一般高於30%。因此兩種MOSFET可採用類似的規格,同時降低傳導及切換損耗。

在6A或以下的負載電流方案中,獨立的控制及同步MOSFET能以單一IRF7910雙MOSFET代替,大幅節省機板空間。至於10A或以下的應用系統,可選用兩個IRF7476或IRF7475 MOSFET;12A或以下電路則可採用IRLR3802。

關鍵字: International Rectifier  電壓控制器 
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