帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飛凌OptiMOSTOLx系列推出全新封裝 可強化 TCoB 耐用性
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2021年06月15日 星期二

瀏覽人次:【2235】

英飛凌科技借助創新的 TO-Leadless (TOLL) 封裝,在 OptiMOS 功率 MOSFET TOLx 系列推出兩款新封裝:TOLG (配備鷗翼型導線的 TO 導線) 以及 TOLT (TO 導線頂部散熱)。TOLx 系列皆具備極低的 RDS(on) 與超過 300 A 的高額定電流,可提升高功率密度設計的系統效率。

/news/2021/06/15/1450062700S.jpg

TOLG 封裝結合了 TOLL 與 D2PAK 7 針腳封裝的最佳功能,與 TOLL 共用相同的 10 x 11 mm2 基底面與電氣性能,並增加了與 D2PAK 7 針腳相容的彈性。TOLG 的主要優勢在採用鋁絕緣金屬基板 (Al-IMS) 的設計時特別明顯。在這些設計中,熱擴張係數 (CTE) (說明材料在溫度變化時的形狀變化趨勢) 比銅 IMS 和 FR4 電路板更高。

隨著時間流逝,電路板上的溫度循環 (TCoB) 會造成封裝和 PCB 之間的焊接點出現裂縫。透過鷗翼型導線的靈活性,TOLG 展現出色的焊接點耐用性,在反覆發生溫度循環的應用中大幅增加了產品的可靠性。全新封裝與 IPC-9701 標準要求相比,能夠展現兩倍 TCoB 性能。

TOLT 封裝針對優異的熱效能進行最佳化。此封裝在結構方面採用上下顛倒的導線,將裸露的金屬置於頂端,且每一面都有多條鷗翼型導線,可提供高電流承載的汲極與源極連接。在導線上下顛倒的框架中,熱量會從裸露的金屬頂端穿過絕緣材料,直接傳到散熱片。與 TOLL 底部冷卻封裝相比,TOLT 的 RthJA 改善了 20%,RthJC 則改善了 50%。這些規格可降低系統物料成本,特別是散熱片。此外,由於現在可將組件安裝在 MOSFET 的底部,因此 TOLT 中的 OptiMOS 能夠減少 PCB 空間。

OptiMOS TOLx 系列的OptiMOS 3 與 5 技術將推出各種電壓等級的產品。TOLG 將在 2021 年第四季提供 60 V 至 250 V 的廣泛產品組合,包括同級最佳和最佳價格性能比的產品。TOLT 目前提供 80 V 和 100 V 電壓等級的產品。此外,還提供評估電源板,並採用 TOLG 封裝的 100 V OptiMOS 5 功率 MOSFET (IPTG014N10M5)。

關鍵字: Infineon(英飛凌
相關產品
英飛凌新款高性能微控制器AURIX TC4Dx可提供高速連接
英飛凌首款20 Gbps通用USB周邊控制器提供高速連接效力
英飛凌推出EiceDRIVER 125 V高側閘極驅動器 故障即時保護電池
英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC
英飛凌針對汽車應用的識別和認證推出新型指紋感測晶片
  相關新聞
» 史丹佛教育科技峰會聚焦AI時代的學習體驗
» 土耳其推出首台自製量子電腦 邁入量子運算國家行列
» COP29聚焦早期預警系統 數位科技成關鍵
» MIPS:RISC-V具備開放性與靈活性 滿足ADAS運算高度需求
» 應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式
  相關文章
» 掌握石墨回收與替代 化解電池斷鏈危機
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
» 光通訊成長態勢明確 訊號完整性一測定江山
» 分眾顯示與其控制技術

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP7ZGX5YSTACUKZ
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw