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英飛凌推出採用TO無鉛封裝的MOSFET系列產品
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2011年12月14日 星期三

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英飛凌(infineon)近日宣佈,推出採用TO無鉛封裝的汽車電源MOSFET系列產品。新型 40V OptiMOS T2 MOSFET結合創新的封裝技術及英飛凌的薄晶圓製程技術,擁有同級產品最佳規格。英飛凌採用擴散焊接黏晶技術所生產的無鉛封裝包括TO-220, TO-262 以及 TO-263。由於封裝幾何方面對於晶粒焊墊厚度與晶片尺寸的特殊要求,現今擴散焊接粘晶技術僅適用於上述三種英飛凌所提供的封裝形式,OptiMOS T2 系列產品的量產已準備就緒。

TO無鉛封裝的汽車電源MOSFET
TO無鉛封裝的汽車電源MOSFET

英飛凌的MOSFET新系列產品超越了現行歐盟RoHS對於含鉛銲錫封裝的規範。更嚴格的ELV RoHS標準可能將於2014年施行,屆時將要求採用完全無鉛的封裝方式。作為首款無鉛封裝MOSFET,英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。

英飛凌專利的無鉛黏晶(die attach)技術採用擴散焊接,可提升電性與散熱表現、可製造性以及品質。

關鍵字: Infineon(英飛凌
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