國際整流器公司（IR）推出全球第一套1000V輻射強化（RAD-hard）電源MOSFET。此款代號為IRHY7G30CMSE 的輻射強化電源MOSFET降低了元件的數目，並強化衛星通訊系統中的電源管理電路與高頻交換系統。此款元件的應用領域包括應用在衛星通訊系統中負責放大微波信號的行波管放大器（traveling wave tube amplifiers）

1000（RAD-hard）電源MOSFET

IR台灣區總經理朱文義表示：「IR新推出的1000V元件是一項重大的突破，在此款元件問世之前，RAD-hard MOSFET最高伏特數僅為600V。而現在設計人員可以運用安全的衰減（de-rating）環境，且不會減少設計的功能與實用性。在各種高伏特應用中，1000V元件可取代效率較低的雙極電晶體。」

新型IRHY7G30CMSE 1000V RAD-Hard MOSFET 是一款改良模式的N-channel元件，採用IR專利的輻射強化閘道氧化與場氧化製程（radiation-hardened gate-oxidation and field-oxidation process），以達到單一事件重設（single event upset）與離子數量強化（ionising dose hardness）的嚴格要求。

新元件會透過37 MeV/(mg/cm2)的線性能量轉換器（LET）強化單一事件效應（SEE, single event effect），並可維持幾近一致的100 Krads (Si)總摻雜濃度。1000V MOSFET的強波性能遠超過雙極電晶體，雙極電晶體強度較低。