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IR推出三相PWM控制IC 可縮減40%電路體積
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2005年12月05日 星期一

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功率半導體及管理方案領導廠商–國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出一款三相PWM控制IC,當中配備為DC-DC轉換器而設的集成驅動器。配合IR的DirectFET MOSFET,這款IR3094MPbF元件能夠節省多達40%的電路體積。由於IR3094的佔位面積更小,因此最適合空間有限的應用,如機架式伺服器中的DDR記憶體,或高密度數據系統中的POL模組。

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典型的80A三相同步降壓解決方案一般需要多達13個元件,包括1個控制和3個驅動器,而每相位又需要3個MOSFET。一個以IR3094加上IRF6637和IRF6678 DirectFET MOSFET組成的晶片組,能夠把矽元件數量減到7個,輸出電流卻可保持不變。設計人員更可將3對這樣的DirectFET MOSFET直接設置於IR3094的旁邊,成為一套既可減少PCB線路的寄生效應、又能發揮最高交換效能的解決方案。

IR台灣分公司總經理朱文義表示:「 80A POL調節器若採用IR3094,佔用的主板空間少於兩平方吋。這對於不斷努力提高下一代伺服器的密度和功能的OEM廠商來說相當重要。」

IR3094是針對需要0.85V至5.1V輸出的應用而設計。這款新型IC採用緊密的7毫米 x 7毫米MLPQ封裝,具有3A閘驅動性能、準確度為1%的參考電壓及適應型電壓定位,可編程交換頻率高達540kHz。IR3094的系統保護功能包括可編程軟起動、Hiccup過電流保護、過壓保護及電源良好(Power Good)指示器。

IR表示,IRF6678是一款理想的同步MOSFET,它的典型通態電阻相當低,在10VGS下只得1.7mOhm,在4.5VGS下只得2.3mOhm。IRF6637最適合用作控制MOSFET,Miller電荷甚低,只有4nC;在10VGS下的典型通態電阻為5.7mOhm,在4.5VGS下為8.2mOhm。兩款MOSFET皆採用中罐型DirectFET封裝,所佔的電路板面積與SO-8相同,外形只得0.7毫米長,並且透過雙面冷卻功能改善熱性能。

關鍵字: IR  朱文義  一般邏輯元件 
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