國際整流器公司(IR)推出新晶體管IRGP50B60PD，將600V非穿孔式(NPT)絕緣閘雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT)與經強化的25A HEXFRED二極體聯合封裝，有效把開關速度提升至150kHz。IRGP50B60PD擴展了高頻率IGBT/HEXFRED二極體Co-Pack元件中的WARP2產品系列。

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這款經強化的新元件配備更高電流的HEXFRED二極體，有助處理高逆向電流的情況。此外，新Co-Pack元件能在1kW至12kW的高電流，高頻交換式電源電路的電訊和伺服器系統中發揮高效率的表現。它適用於功率因素校正(PFC)與全橋初級開關、高功率不間斷電源、焊接機和工業開關式應用。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「高功率、高密度AC-DC伺服器和電訊電路需採用高效率而又堅固的開關裝置，提供可靠電力。校教於市面上的其他元件，IR WARP2 IGBT元件的關斷損耗極低，電流下降時間極快，因此能提供更高的效率，特別是在高頻率的環境下。」

最新WARP2 IGBT以IR的薄晶圓技術製成，有助縮短少數載子消耗時間，加快關斷過程。此外，元件的開關末端電流極短、關斷開關損耗(EOFF)極低，可讓設計員達致更高操作頻率。此外，WARP2 IGBT憑藉更完善的開關效能，配合經優化的正溫度係數特性和更低閘開通電荷，有效提升電流密度。若以並行模式操作，正溫度係數能發揮安全、可靠和高效率電流共享的效能。