帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR高電壓閘極驅動IC 全新採用PQFN4x4封裝
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2011年07月04日 星期一

瀏覽人次:【2246】

國際整流器(International Rectifier;IR)近日擴展其封裝系列,推出新款的PQFN 4mm x 4mm封裝,且配合IR最新的高電壓閘極驅動IC,為一系列應用包括家庭電器、工業自動化、電動工具和替代能源等,提供一個超精密、高密度和高效率的解決方案。

IR採用PQFN4x4封裝高電壓閘極驅動IC,可減少高達85%占位面積。
IR採用PQFN4x4封裝高電壓閘極驅動IC,可減少高達85%占位面積。

新款的PQFN4x4(修良式MLPQ 16引線)封裝只需要16mm2的占位空間,能夠容納許多原先需要SOIC-16等大尺寸封裝的IR高性能高電壓閘極驅動IC,從而減少高達85%的占位空間。新封裝利用適當的沿面距離與空隙規定,來實現適用於高達600 V電壓的堅固可靠設計。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示,由於變頻馬達控制愈來愈得到廣泛採用,所以對減小系統體積及增加功能的需求也因此增加。該新封裝結合了IR高電壓IC平台,可實現這些目標。PQFN4x4封裝的厚度少於1 mm,使其與現有的表面黏著技術相容,達到MSL2(第二級濕度敏感度)標準,並符合電子產品有害物質限制指令(RoHS)。

IR表示,該公司的HVIC技術,把N-通道和P-通道LDMOS電路整合到智能驅動器IC。這些IC接收低電壓輸入,並為高壓功率調節應用提供閘極驅動和保護功能。此外,這些單片式HVIC整合了多種特性和功能,能夠簡化電路設計和降低整體成本,當中包括可以選擇使用低成本的自舉電源,以免除分離式光耦合器或變壓器為本設計典型要求的,大且昂貴的後備電源。

關鍵字: IR 
相關產品
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
IR為高功率工業應用推出新IGBT模組系列
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» 國科會促產創共造算力 主權AI產業專區落地沙崙
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.144.93.14
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw