德州儀器（TI）近日推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應電晶體（FET）驅動器，進一步拓展GaN電源產品組合，此兩款GaN驅動器可在光達（LIDAR）以及5G射頻（RF）封包追蹤等速度關鍵應用中實現更高效率、更高性能的設計。 LMG1020和LMG1210可提供50 MHz的開關頻率，同時提升效率，並可實現過往矽MOSFET無法實現的小5倍尺寸解決方案。如欲瞭解更多資訊，請參考Link - LMG1020和Link - LMG1210。

憑藉著業界同級最佳的驅動速度以及1 ns的最小脈衝寬度，LMG1020 60-MHz低壓側GaN驅動器可在工業LIDAR應用中實現高準確度的雷射器。小型的晶圓級晶片尺寸（WCSP）封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm，有助於最小化柵極環路寄生和損耗，以更進一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半橋驅動器，專為高達200 V的GaN場效應電晶體所設計。該裝置的可調死區時間控制功能可將高速DC / DC轉換器、馬達驅動器、D類音訊放大器及其它功率轉換應用等效率提升多達5％。設計人員可利用超過300 V / ns的業界最高共模瞬態抗擾度（CMTI）實現更高的系統抗雜訊抗擾度。

LMG1020和LMG1210的主要特性和優勢

‧高速：此兩款裝置可提供超快速傳播延遲（2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]），能讓電源解決方案較採用矽驅動器快50倍。另外，LMG1020亦能夠提供高功率1ns雷射脈衝，以實現遠端LIDAR應用。

‧高效率：此兩款裝置均可實現高效率設計。 LMG1210提供1 pF的低開關節點電容以及使用者可調的死區時間控制，可將效率提升多達5％。

‧功率密度：LMG1210的死區時間控制整合功能可減少零組件數量並提升效率，讓設計人員能夠將電源尺寸縮小高達80％。 LMG1020的功率密度增加，讓LIDAR具備業界最小封裝和與最高解析度。

TI的GaN優勢

LMG1020和LMG1210是業界最大的GaN電源產品組合裡的新成員，包含從200V驅動器到80V和600V功率級。憑藉著超過1,000萬小時的GaN處理可靠性測試，TI透過可靠的GaN產品滿足對經驗證和立即可用解決方案的需求，為GaN技術帶來數十年的矽製造專業技術和先進裝置開發人才。

於APEC上造訪TI

TI將於2018年3月4日至8日參加在德克薩斯州聖安東尼奧舉行的美國國際電力電子應用展覽會（APEC），並展示其多樣的GaN產品組合以及GaN技術。

加速設計的工具和支援

設計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模組和SPICE模型快速輕鬆地評估這些新裝置。工程師亦可以利用LIDAR的奈秒鐳射驅動器參考設計和高速DC / DC轉換器的多兆赫GaN功率級參考設計，迅速開始他們的氮化鎵設計。

封裝、定價與供貨情況

LMG1020和LMG1210的原型樣品現已在TI商店和公司的授權經銷網路上提供。 LMG1020採用WCSP封裝。LMG1210採用四方扁平無引腳（QFN）封裝。